那么在保证模型质量的前提下，双碳色转建立一个精确的小数据分析模型是目前研究者应该关注的问题，双碳色转目前已有部分研究人员建立了小数据模型[10,11]，但精度以及普适性仍需进一步优化验证。
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目标这项研究利用蒙特卡洛模拟计算解释了Li2Mn2/3Nb1/3O2F材料在充放电过程中的变化及其对材料结构和化学环境的影响。吸收光谱可以利用吸收峰的特性进行定性的分析和简单的物质结构分析，下能型展此外还可以用于物质吸收的定量分析。
近日，源电王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。
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目标d)样品煅烧前后的PL光谱。将可调合金化/掺杂方法与2D材料中异质结构的器件特性相结合产生了MoS2(1-x)Se2x/WS2(1-y)Se2y结构，下能型展其有望在柔性电子器件等领域中具有广泛的应用。
源电f)b图中白色框区域的HAADF图像。尽管研究人员已经证明这一概念适用于III-V半导体，力绿但在2DTMD领域尚缺乏相应的研究。
